NP100P04PDG-E1-AY

NP100P04PDG-E1-AY
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Numero parte NP100P04PDG-E1-AY
LIXINC Part # NP100P04PDG-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NP100P04PDG-E1-AY Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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NP100P04PDG-E1-AY Specifiche

Numero parte:NP100P04PDG-E1-AY
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Renesas Electronics America
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:3.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:320 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:15100 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta), 200W (Tc)
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-263
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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