EPC2203

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Numero parte EPC2203
LIXINC Part # EPC2203
Produttore EPC
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD EPC2203 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

EPC2203 Specifiche

Numero parte:EPC2203
Marca:EPC
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:EPC
serie:Automotive, AEC-Q101, eGaN®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
tensione drain-source (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.7A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V
rds su (max) @ id, vgs:80mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 600µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:0.83 nC @ 5 V
vgs (massimo):+5.75V, -4V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:88 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):-
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:Die
pacchetto/caso:Die

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