SIA810DJ-T1-GE3

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Numero parte SIA810DJ-T1-GE3
LIXINC Part # SIA810DJ-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SIA810DJ-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIA810DJ-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SIA810DJ-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:LITTLE FOOT®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:53mOhm @ 3.7A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:11.5 nC @ 8 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:400 pF @ 10 V
caratteristica del feto:Schottky Diode (Isolated)
dissipazione di potenza (max):1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerPAK® SC-70-6 Dual
pacchetto/caso:PowerPAK® SC-70-6 Dual

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