RFD4N06LSM9A

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Numero parte RFD4N06LSM9A
LIXINC Part # RFD4N06LSM9A
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RFD4N06LSM9A Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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RFD4N06LSM9A Specifiche

Numero parte:RFD4N06LSM9A
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V
rds su (max) @ id, vgs:600mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 10 V
vgs (massimo):±10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):30W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252AA
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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