IPN70R2K0P7SATMA1

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Numero parte IPN70R2K0P7SATMA1
LIXINC Part # IPN70R2K0P7SATMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPN70R2K0P7SATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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IPN70R2K0P7SATMA1 Specifiche

Numero parte:IPN70R2K0P7SATMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolMOS™ P7
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):700 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 30µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:3.8 nC @ 10 V
vgs (massimo):±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:130 pF @ 400 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):6W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SOT223
pacchetto/caso:TO-261-3

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