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SCT30N120

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Numero parte	SCT30N120
LIXINC Part #	SCT30N120
Produttore	STMicroelectronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SCT30N120 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SCT30N120 Specifiche

Numero parte:	SCT30N120
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	STMicroelectronics
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
tensione drain-source (vdss):	1200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	40A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	20V
rds su (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.6V @ 1mA (Typ)
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	105 nC @ 20 V
vgs (massimo):	+25V, -10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1700 pF @ 400 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	270W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 200°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	HiP247™
pacchetto/caso:	TO-247-3

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