SI3460BDV-T1-GE3

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Numero parte SI3460BDV-T1-GE3
LIXINC Part # SI3460BDV-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI3460BDV-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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SI3460BDV-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SI3460BDV-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:27mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 8 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:860 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2W (Ta), 3.5W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:6-TSOP
pacchetto/caso:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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