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Numero parte | CSD16570Q5BT |
LIXINC Part # | CSD16570Q5BT |
Produttore | Texas Instruments |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | CSD16570Q5BT Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | CSD16570Q5BT |
Marca: | Texas Instruments |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Texas Instruments |
serie: | NexFET™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 25 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 100A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 0.59mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.9V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 250 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 14000 pF @ 12 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 3.2W (Ta), 195W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-VSONP (5x6) |
pacchetto/caso: | 8-PowerTDFN |
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In magazzino | 13762 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.68000 | $2.68 |
250 | $1.71395 | $428.4875 |
500 | $1.49972 | $749.86 |
750 | $1.35403 | $1015.5225 |
1250 | $1.24262 | $1553.275 |
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