CSD16570Q5BT

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Numero parte CSD16570Q5BT
LIXINC Part # CSD16570Q5BT
Produttore Texas Instruments
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CSD16570Q5BT Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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CSD16570Q5BT Specifiche

Numero parte:CSD16570Q5BT
Marca:Texas Instruments
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Texas Instruments
serie:NexFET™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:0.59mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:1.9V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:250 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:14000 pF @ 12 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.2W (Ta), 195W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-VSONP (5x6)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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