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IRFSL7730PBF

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Numero parte	IRFSL7730PBF
LIXINC Part #	IRFSL7730PBF
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRFSL7730PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRFSL7730PBF Specifiche

Numero parte:	IRFSL7730PBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®, StrongIRFET™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	75 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	195A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	2.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.7V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	407 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	13.66 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	375W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-262
pacchetto/caso:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

DMN2029UVT-13	MOSFET N-CH 6.8A TSOT26	970 Maggiori informazioni su Ordine
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R6507ENJTL	MOSFET N-CH 650V 7A LPTS	1944 Maggiori informazioni su Ordine
HUF75345S3S	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	4796 Maggiori informazioni su Ordine
HUF76439S3ST	MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK	2098 Maggiori informazioni su Ordine
FQB10N20CTM	MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK	915 Maggiori informazioni su Ordine
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