FQU13N06LTU-WS

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Numero parte FQU13N06LTU-WS
LIXINC Part # FQU13N06LTU-WS
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FQU13N06LTU-WS Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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FQU13N06LTU-WS Specifiche

Numero parte:FQU13N06LTU-WS
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:QFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:115mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:6.4 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:350 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 28W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:I-PAK
pacchetto/caso:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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