NTLJS3A18PZTWG

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Numero parte NTLJS3A18PZTWG
LIXINC Part # NTLJS3A18PZTWG
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NTLJS3A18PZTWG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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NTLJS3A18PZTWG Specifiche

Numero parte:NTLJS3A18PZTWG
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:18mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.24 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):700mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:6-WDFN (2x2)
pacchetto/caso:6-WDFN Exposed Pad

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