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Numero parte | BST82,235 |
LIXINC Part # | BST82,235 |
Produttore | Nexperia |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BST82,235 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | BST82,235 |
Marca: | Nexperia |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Nexperia |
serie: | TrenchMOS™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Not For New Designs |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 100 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 190mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 10Ohm @ 150mA, 5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 40 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 830mW (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-236AB |
pacchetto/caso: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
NVBLS0D5N04M8TXG | MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF | 21142911 Maggiori informazioni su Ordine |
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PMV16XN215 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 240857 Maggiori informazioni su Ordine |
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IPD35N10S3L-26 | IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU | 900 Maggiori informazioni su Ordine |
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SIHG47N60AE-GE3 | MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC | 2926 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 10977 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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