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Numero parte | BSP149H6906XTSA1 |
LIXINC Part # | BSP149H6906XTSA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BSP149H6906XTSA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 07 - Jul 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | BSP149H6906XTSA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | SIPMOS® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 200 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 660mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 0V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1V @ 400µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 14 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 430 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | Depletion Mode |
dissipazione di potenza (max): | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-SOT223-4 |
pacchetto/caso: | TO-261-4, TO-261AA |
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In magazzino | 19533 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.23000 | $1.23 |
1000 | $0.62368 | $623.68 |
2000 | $0.58640 | $1172.8 |
5000 | $0.56030 | $2801.5 |
10000 | $0.54165 | $5416.5 |
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