2N6667

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Numero parte 2N6667
LIXINC Part # 2N6667
Produttore NTE Electronics, Inc.
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione T-PNP SI-GEN PUR AMP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2N6667 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 31 - Nov 04 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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2N6667 Specifiche

Numero parte:2N6667
Marca:NTE Electronics, Inc.
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:NTE Electronics, Inc.
serie:-
pacchetto:Bag
stato della parte:Active
tipo a transistor:PNP - Darlington
corrente - collettore (ic) (max):10 A
tensione - guasto collettore emettitore (max):60 V
vce saturazione (max) @ ib, ic:3V @ 100mA, 10A
corrente - taglio collettore (max):1mA
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 5A, 3V
potenza - max:2 W
frequenza - transizione:-
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-220-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220AB

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