NJVNJD35N04T4G

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Numero parte NJVNJD35N04T4G
LIXINC Part # NJVNJD35N04T4G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NJVNJD35N04T4G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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NJVNJD35N04T4G Specifiche

Numero parte:NJVNJD35N04T4G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo a transistor:NPN - Darlington
corrente - collettore (ic) (max):4 A
tensione - guasto collettore emettitore (max):350 V
vce saturazione (max) @ ib, ic:1.5V @ 20mA, 2A
corrente - taglio collettore (max):50µA
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:2000 @ 2A, 2V
potenza - max:45 W
frequenza - transizione:90MHz
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK

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