NJD35N04G

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Numero parte NJD35N04G
LIXINC Part # NJD35N04G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NJD35N04G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 27 - Oct 31 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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NJD35N04G Specifiche

Numero parte:NJD35N04G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo a transistor:NPN - Darlington
corrente - collettore (ic) (max):4 A
tensione - guasto collettore emettitore (max):350 V
vce saturazione (max) @ ib, ic:1.5V @ 20mA, 2A
corrente - taglio collettore (max):50µA
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:2000 @ 2A, 2V
potenza - max:45 W
frequenza - transizione:90MHz
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK

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