MJD112G

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Numero parte MJD112G
LIXINC Part # MJD112G
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MJD112G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MJD112G Specifiche

Numero parte:MJD112G
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo a transistor:NPN - Darlington
corrente - collettore (ic) (max):2 A
tensione - guasto collettore emettitore (max):100 V
vce saturazione (max) @ ib, ic:3V @ 40mA, 4A
corrente - taglio collettore (max):20µA
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 2A, 3V
potenza - max:1.75 W
frequenza - transizione:25MHz
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK

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