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Numero parte | MT41K512M8V00HWC1-N002 |
LIXINC Part # | MT41K512M8V00HWC1-N002 |
Produttore | Micron Technology |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC DRAM 4GBIT PARALLEL |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | MT41K512M8V00HWC1-N002 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 31 - Nov 04 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | MT41K512M8V00HWC1-N002 |
Marca: | Micron Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Micron Technology |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di memoria: | Volatile |
formato di memoria: | DRAM |
tecnologia: | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria: | 4Gb (512M x 8) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | - |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | - |
tempo di accesso: | - |
tensione - alimentazione: | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio: | 0°C ~ 95°C (TC) |
tipo di montaggio: | - |
pacchetto/caso: | - |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | - |
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In magazzino | 10869 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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