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Numero parte | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
LIXINC Part # | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
Produttore | Micron Technology |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
Marca: | Micron Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Micron Technology |
serie: | - |
pacchetto: | Tray |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di memoria: | Non-Volatile |
formato di memoria: | FLASH, RAM |
tecnologia: | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Dimensione della memoria: | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | 533 MHz |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | - |
tempo di accesso: | - |
tensione - alimentazione: | 1.8V |
temperatura di esercizio: | -25°C ~ 85°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 162-VFBGA |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 162-VFBGA (11.5x13) |
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In magazzino | 10977 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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