MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

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Numero parte MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
LIXINC Part # MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Produttore Micron Technology
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Specifiche

Numero parte:MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Marca:Micron Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Micron Technology
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:FLASH, RAM
tecnologia:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Dimensione della memoria:4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:533 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:1.8V
temperatura di esercizio:-25°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:162-VFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:162-VFBGA (11.5x13)

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