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Numero parte | MT40A1G8WE-083E AAT:B |
LIXINC Part # | MT40A1G8WE-083E AAT:B |
Produttore | Micron Technology |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | MT40A1G8WE-083E AAT:B Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Aug 14 - Aug 18 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | MT40A1G8WE-083E AAT:B |
Marca: | Micron Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Micron Technology |
serie: | Automotive, AEC-Q100 |
pacchetto: | Tray |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di memoria: | Volatile |
formato di memoria: | DRAM |
tecnologia: | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria: | 8Gb (1G x 8) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | 1.2 GHz |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | - |
tempo di accesso: | - |
tensione - alimentazione: | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 105°C (TC) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 78-TFBGA |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 78-FBGA (8x12) |
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In magazzino | 10947 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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