MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D

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Numero parte MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D
LIXINC Part # MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D
Produttore Micron Technology
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC DRAM 32GBIT 1600MHZ FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 19 - Oct 23 2024(Scegli spedizione rapida)
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MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D Specifiche

Numero parte:MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D
Marca:Micron Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Micron Technology
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:DRAM
tecnologia:SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria:32Gb (512M x 64)
interfaccia di memoria:-
frequenza di clock:1.6 GHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:1.1V
temperatura di esercizio:-30°C ~ 85°C (TC)
tipo di montaggio:-
pacchetto/caso:-
pacchetto del dispositivo del fornitore:-

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