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MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR

MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR
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Numero parte MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR
LIXINC Part # MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR
Produttore Micron Technology
Categoria circuiti integrati › memoria
Descrizione IC DRAM 32GBIT 933MHZ 256FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 20 - Sep 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR Specifiche

Numero parte:MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR
Marca:Micron Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Micron Technology
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:DRAM
tecnologia:SDRAM - Mobile LPDDR3
Dimensione della memoria:32Gb (512M x 64)
interfaccia di memoria:-
frequenza di clock:933 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:1.2V
temperatura di esercizio:-30°C ~ 85°C (TC)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:256-WFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:256-FBGA (14x14)

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