MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E

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Numero parte MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E
LIXINC Part # MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E
Produttore Micron Technology
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 432VFBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E Specifiche

Numero parte:MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E
Marca:Micron Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Micron Technology
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:DRAM
tecnologia:SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria:32Gb (512M x 64)
interfaccia di memoria:-
frequenza di clock:2.133 GHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:1.1V
temperatura di esercizio:-30°C ~ 85°C (TC)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:432-VFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:432-VFBGA (15x15)

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