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Numero parte | MT29E4T08EYHBBG9-3:B |
LIXINC Part # | MT29E4T08EYHBBG9-3:B |
Produttore | Micron Technology |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | MT29E4T08EYHBBG9-3:B Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 25 - Oct 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | MT29E4T08EYHBBG9-3:B |
Marca: | Micron Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Micron Technology |
serie: | - |
pacchetto: | Tray |
stato della parte: | Active |
tipo di memoria: | Non-Volatile |
formato di memoria: | FLASH |
tecnologia: | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria: | 4Tb (512G x 8) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | 333 MHz |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | - |
tempo di accesso: | - |
tensione - alimentazione: | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
tipo di montaggio: | - |
pacchetto/caso: | - |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | - |
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In magazzino | 10972 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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