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MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C
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Numero parte MT47H512M4EB-3:C
LIXINC Part # MT47H512M4EB-3:C
Produttore Micron Technology
Categoria circuiti integrati › memoria
Descrizione IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MT47H512M4EB-3:C Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT47H512M4EB-3:C Specifiche

Numero parte:MT47H512M4EB-3:C
Marca:Micron Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Micron Technology
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:DRAM
tecnologia:SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria:2Gb (512M x 4)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:333 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:15ns
tempo di accesso:450 ps
tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio:0°C ~ 85°C (TC)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:60-TFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:60-FBGA (9x11.5)

MT47H512M4EB-3:C Documenti

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