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70V3579S4DRG

70V3579S4DRG
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Numero parte 70V3579S4DRG
LIXINC Part # 70V3579S4DRG
Produttore Renesas Electronics America
Categoria circuiti integrati › memoria
Descrizione IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 70V3579S4DRG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

70V3579S4DRG Specifiche

Numero parte:70V3579S4DRG
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Renesas Electronics America
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria:1.125Mb (32K x 36)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:-
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:4.2 ns
tensione - alimentazione:3.15V ~ 3.45V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:208-BFQFP
pacchetto del dispositivo del fornitore:208-PQFP (28x28)

70V3579S4DRG Documenti

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