MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1

MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1
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Numero parte MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1
LIXINC Part # MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1
Produttore Fujitsu Electronics America, Inc.
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8DFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 29 - Nov 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1 Specifiche

Numero parte:MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1
Marca:Fujitsu Electronics America, Inc.
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Fujitsu Electronics America, Inc.
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:FRAM
tecnologia:FRAM (Ferroelectric RAM)
Dimensione della memoria:2Mb (256K x 8)
interfaccia di memoria:SPI
frequenza di clock:50 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:1.8V ~ 3.6V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 125°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-VDFN Exposed Pad
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-DFN (5x6)

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