IS61NVF51236-7.5B3

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Numero parte IS61NVF51236-7.5B3
LIXINC Part # IS61NVF51236-7.5B3
Produttore ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IS61NVF51236-7.5B3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 23 - Oct 27 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS61NVF51236-7.5B3 Specifiche

Numero parte:IS61NVF51236-7.5B3
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria:18Mb (512K x 36)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:117 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:7.5 ns
tensione - alimentazione:2.375V ~ 2.625V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:165-TBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:165-TFBGA (13x15)

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