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Numero parte | NAND04GW3C2BN6E |
LIXINC Part # | NAND04GW3C2BN6E |
Produttore | Micron Technology |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NAND04GW3C2BN6E Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Aug 14 - Aug 18 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | NAND04GW3C2BN6E |
Marca: | Micron Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Micron Technology |
serie: | - |
pacchetto: | Tray |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di memoria: | Non-Volatile |
formato di memoria: | FLASH |
tecnologia: | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria: | 4Gb (512M x 8) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | - |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | 25ns |
tempo di accesso: | 25 ns |
tensione - alimentazione: | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 48-TSOP |
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In magazzino | 10969 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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