IDT71V25761YSA200BG8

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Numero parte IDT71V25761YSA200BG8
LIXINC Part # IDT71V25761YSA200BG8
Produttore Renesas Electronics America
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IDT71V25761YSA200BG8 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IDT71V25761YSA200BG8 Specifiche

Numero parte:IDT71V25761YSA200BG8
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Renesas Electronics America
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria:4.5Mb (128K x 36)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:200 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:5 ns
tensione - alimentazione:3.135V ~ 3.465V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:119-BGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:119-PBGA (14x22)

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