MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

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Numero parte MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
LIXINC Part # MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Produttore Micron Technology
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Specifiche

Numero parte:MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Marca:Micron Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Micron Technology
serie:Automotive, AEC-Q100
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:DRAM
tecnologia:SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria:16Gb (512M x 32)
interfaccia di memoria:-
frequenza di clock:1.866 GHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:1.1V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 105°C (TC)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:200-WFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:200-WFBGA (10x14.5)

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