MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

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Numero parte MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
LIXINC Part # MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Produttore Micron Technology
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 28 - Nov 01 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Specifiche

Numero parte:MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Marca:Micron Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Micron Technology
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:FLASH
tecnologia:FLASH - NAND
Dimensione della memoria:512Gb (64G x 8)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:333 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:2.5V ~ 3.6V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:132-VBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:132-VBGA (12x18)

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