R1RW0408DGE-2PR#B0

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Numero parte R1RW0408DGE-2PR#B0
LIXINC Part # R1RW0408DGE-2PR#B0
Produttore Renesas Electronics America
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD R1RW0408DGE-2PR#B0 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Nov 01 - Nov 05 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

R1RW0408DGE-2PR#B0 Specifiche

Numero parte:R1RW0408DGE-2PR#B0
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Renesas Electronics America
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM
Dimensione della memoria:4Mb (512K x 8)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:-
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:12ns
tempo di accesso:12 ns
tensione - alimentazione:3V ~ 3.6V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:36-SOJ

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