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Numero parte | 70V657S10DR |
LIXINC Part # | 70V657S10DR |
Produttore | Renesas Electronics America |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | 70V657S10DR Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 26 - Oct 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | 70V657S10DR |
Marca: | Renesas Electronics America |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Renesas Electronics America |
serie: | - |
pacchetto: | Tray |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di memoria: | Volatile |
formato di memoria: | SRAM |
tecnologia: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria: | 1.125Mb (32K x 36) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | - |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | 10ns |
tempo di accesso: | 10 ns |
tensione - alimentazione: | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 208-BFQFP |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 208-PQFP (28x28) |
W25Q64JVTBJM TR | IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24TFBGA | 963 Maggiori informazioni su Ordine |
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71321SA55PF | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP | 934 Maggiori informazioni su Ordine |
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S29GL064N90FFI032 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA | 902 Maggiori informazioni su Ordine |
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MT46V32M16BN-5B:F TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | 986 Maggiori informazioni su Ordine |
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SST39LF020-55-4I-NHE | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32PLCC | 941 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10911 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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