CY7C1512JV18-267BZI

CY7C1512JV18-267BZI
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Numero parte CY7C1512JV18-267BZI
LIXINC Part # CY7C1512JV18-267BZI
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CY7C1512JV18-267BZI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 21 - Oct 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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CY7C1512JV18-267BZI Specifiche

Numero parte:CY7C1512JV18-267BZI
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Synchronous, QDR II
Dimensione della memoria:72Mb (4M x 18)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:267 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:165-LBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:165-FBGA (15x17)

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