NV25256MUW3VTBG

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Numero parte NV25256MUW3VTBG
LIXINC Part # NV25256MUW3VTBG
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC EEPROM 256KBIT SPI 8UDFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NV25256MUW3VTBG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NV25256MUW3VTBG Specifiche

Numero parte:NV25256MUW3VTBG
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q100
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:EEPROM
tecnologia:EEPROM
Dimensione della memoria:256Kb (32K x 8)
interfaccia di memoria:SPI
frequenza di clock:10 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:5ms
tempo di accesso:40 ns
tensione - alimentazione:1.8V ~ 5.5V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 125°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-UFDFN Exposed Pad
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-UDFN (2x3)

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