IS61QDP2B21M18A-333M3L

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Numero parte IS61QDP2B21M18A-333M3L
LIXINC Part # IS61QDP2B21M18A-333M3L
Produttore ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IS61QDP2B21M18A-333M3L Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 26 - Oct 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IS61QDP2B21M18A-333M3L Specifiche

Numero parte:IS61QDP2B21M18A-333M3L
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Synchronous, QUADP
Dimensione della memoria:18Mb (1M x 18)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:333 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:8.4 ns
tensione - alimentazione:1.71V ~ 1.89V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:165-LBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:165-LFBGA (15x17)

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