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Numero parte | NV25320DTHFT3G |
LIXINC Part # | NV25320DTHFT3G |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC EEPROM 32KBIT SPI 8TSSOP |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NV25320DTHFT3G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 25 - Oct 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NV25320DTHFT3G |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | Automotive, AEC-Q100 |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Active |
tipo di memoria: | Non-Volatile |
formato di memoria: | EEPROM |
tecnologia: | EEPROM |
Dimensione della memoria: | 32Kb (4K x 8) |
interfaccia di memoria: | SPI |
frequenza di clock: | 10 MHz |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | 4ms |
tempo di accesso: | 40 ns |
tensione - alimentazione: | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-TSSOP |
TE28F008BET120 | 8M-BIT FLASH MEM, PARALLEL | 17260 Maggiori informazioni su Ordine |
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70V658S10DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | 966 Maggiori informazioni su Ordine |
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CY7C1383F-133BZI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA | 1660 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 24964 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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