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Numero parte | 71256L20YG |
LIXINC Part # | 71256L20YG |
Produttore | Renesas Electronics America |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | 71256L20YG Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 21 - Oct 25 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | 71256L20YG |
Marca: | Renesas Electronics America |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Renesas Electronics America |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di memoria: | Volatile |
formato di memoria: | SRAM |
tecnologia: | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria: | 256Kb (32K x 8) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | - |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | 20ns |
tempo di accesso: | 20 ns |
tensione - alimentazione: | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 28-SOJ |
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | 2769 Maggiori informazioni su Ordine |
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MT46V64M8CY-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | 889 Maggiori informazioni su Ordine |
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M24C04-FDW6TP | IC EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOP | 10829 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 11255 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $5.27000 | $5.27 |
10 | $4.77845 | $47.7845 |
27 | $4.67526 | $126.23202 |
54 | $4.64943 | $251.06922 |
108 | $4.16968 | $450.32544 |
270 | $4.15407 | $1121.5989 |
513 | $4.00109 | $2052.55917 |
1026 | $3.80401 | $3902.91426 |
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