CYD02S36V18-200BBC

CYD02S36V18-200BBC
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Numero parte CYD02S36V18-200BBC
LIXINC Part # CYD02S36V18-200BBC
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CYD02S36V18-200BBC Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 18 - Oct 22 2024(Scegli spedizione rapida)
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CYD02S36V18-200BBC Specifiche

Numero parte:CYD02S36V18-200BBC
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria:2Mb (64K x 36)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:200 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:3.3 ns
tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:256-LBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:256-FBGA (17x17)

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