CY7C1361B-100BZI

CY7C1361B-100BZI
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Numero parte CY7C1361B-100BZI
LIXINC Part # CY7C1361B-100BZI
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione CACHE SRAM, 256KX36, 8.5NS
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CY7C1361B-100BZI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 23 - Oct 27 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY7C1361B-100BZI Specifiche

Numero parte:CY7C1361B-100BZI
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria:9Mb (256K x 36)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:100 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:8.5 ns
tensione - alimentazione:3.135V ~ 3.6V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:165-LBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:165-FBGA (13x15)

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