NV24C08MUW3VLTBG

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Numero parte NV24C08MUW3VLTBG
LIXINC Part # NV24C08MUW3VLTBG
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NV24C08MUW3VLTBG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NV24C08MUW3VLTBG Specifiche

Numero parte:NV24C08MUW3VLTBG
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q100
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:EEPROM
tecnologia:EEPROM
Dimensione della memoria:8Kb (1K x 8)
interfaccia di memoria:I²C
frequenza di clock:1 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:4ms
tempo di accesso:450 ns
tensione - alimentazione:1.7V ~ 5.5V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 125°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-UFDFN Exposed Pad
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-UDFN (2x3)

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