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Numero parte | CY14B104NA-BA20XI |
LIXINC Part # | CY14B104NA-BA20XI |
Produttore | Cypress Semiconductor |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | CY14B104NA-BA20XI Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 21 - Oct 25 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | CY14B104NA-BA20XI |
Marca: | Cypress Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Cypress Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tray |
stato della parte: | Active |
tipo di memoria: | Non-Volatile |
formato di memoria: | NVSRAM |
tecnologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria: | 4Mb (256K x 16) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | - |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | 20ns |
tempo di accesso: | 20 ns |
tensione - alimentazione: | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 48-TFBGA |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 48-FBGA (6x10) |
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In magazzino | 10922 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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