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Numero parte | 70V3579S4BC8 |
LIXINC Part # | 70V3579S4BC8 |
Produttore | Renesas Electronics America |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | 70V3579S4BC8 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 24 - Oct 28 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | 70V3579S4BC8 |
Marca: | Renesas Electronics America |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Renesas Electronics America |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Active |
tipo di memoria: | Volatile |
formato di memoria: | SRAM |
tecnologia: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Dimensione della memoria: | 1.125Mb (32K x 36) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | - |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | - |
tempo di accesso: | 4.2 ns |
tensione - alimentazione: | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 256-LBGA |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 256-CABGA (17x17) |
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AT93C66B-XHM-T | IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8TSSOP | 911 Maggiori informazioni su Ordine |
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IS43R16320D-6TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | 912 Maggiori informazioni su Ordine |
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CY7C199C-15ZC | IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I | 48119 Maggiori informazioni su Ordine |
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IS42S86400F-7TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | 958 Maggiori informazioni su Ordine |
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S25FL064LABNFN040 | IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8USON | 866 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10928 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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