DS1230AB-200

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Numero parte DS1230AB-200
LIXINC Part # DS1230AB-200
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD DS1230AB-200 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 19 - Oct 23 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

DS1230AB-200 Specifiche

Numero parte:DS1230AB-200
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:NVSRAM
tecnologia:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria:256Kb (32K x 8)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:-
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:200ns
tempo di accesso:200 ns
tensione - alimentazione:4.75V ~ 5.25V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
pacchetto del dispositivo del fornitore:28-EDIP

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