NV25160DWHFT3G

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Numero parte NV25160DWHFT3G
LIXINC Part # NV25160DWHFT3G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NV25160DWHFT3G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 19 - Oct 23 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NV25160DWHFT3G Specifiche

Numero parte:NV25160DWHFT3G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q100
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:EEPROM
tecnologia:-
Dimensione della memoria:16Kb (2K x 8)
interfaccia di memoria:SPI
frequenza di clock:10 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:4ms
tempo di accesso:40 ns
tensione - alimentazione:2.5V ~ 5.5V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SOIC

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