MT54V512H18EF-10

MT54V512H18EF-10
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Numero parte MT54V512H18EF-10
LIXINC Part # MT54V512H18EF-10
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MT54V512H18EF-10 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 28 - Nov 01 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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MT54V512H18EF-10 Specifiche

Numero parte:MT54V512H18EF-10
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:QDR™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Quad Port, Synchronous
Dimensione della memoria:9Mb (512K x 18)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:100 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:2.4V ~ 2.6V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:165-TBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:165-FBGA (13x15)

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