CY7C1386BV25-150BGC

CY7C1386BV25-150BGC
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Numero parte CY7C1386BV25-150BGC
LIXINC Part # CY7C1386BV25-150BGC
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione CACHE SRAM, 512KX36, 3.8NS
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CY7C1386BV25-150BGC Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 26 - Oct 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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CY7C1386BV25-150BGC Specifiche

Numero parte:CY7C1386BV25-150BGC
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria:18Mb (512K x 36)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:150 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:3.8 ns
tensione - alimentazione:2.375V ~ 2.625V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:119-BGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:119-PBGA (14x22)

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