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Numero parte | CYD09S18V18-200BBXI |
LIXINC Part # | CYD09S18V18-200BBXI |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | CYD09S18V18-200BBXI Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 21 - Oct 25 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | CYD09S18V18-200BBXI |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Tray |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di memoria: | Volatile |
formato di memoria: | SRAM |
tecnologia: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Dimensione della memoria: | 9Mb (512K x 18) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | 200 MHz |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | - |
tempo di accesso: | 3.3 ns |
tensione - alimentazione: | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 256-LBGA |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 256-FBGA (17x17) |
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In magazzino | 10950 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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