IS43DR16160B-3DBLI

IS43DR16160B-3DBLI
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Numero parte IS43DR16160B-3DBLI
LIXINC Part # IS43DR16160B-3DBLI
Produttore ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IS43DR16160B-3DBLI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS43DR16160B-3DBLI Specifiche

Numero parte:IS43DR16160B-3DBLI
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:DRAM
tecnologia:SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria:256Mb (16M x 16)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:333 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:15ns
tempo di accesso:450 ps
tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:84-TFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:84-TWBGA (8x12.5)

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